TSF65R190S2的供应商，TSF65R190S2规格参数，TSF65R190S2的PDF资料

TSF65R190S2 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道

TSF65R190S2的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻190mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）34W(Tc)

类型N沟道

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	TSF65R190S2	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	TSF65R190S2	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	TSF65R190S2	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	TSF65R190S2	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	TSF65R190S2	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市威雅利发展有限公司	TSF65R190S2	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价

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立创商城	TSF65R190S2	Truesemi(信安)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥7.24 10+:￥5.41 30+:￥5.08 100+:￥4.74 500+:￥4.59 1000+:￥4.52

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