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TP65H480G4JSG-TR /GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
TP65H480G4JSG-TR的规格信息
TP65H480G4JSG-TR的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 V @ 8 nC

Vgs (Max)±18V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400 V @ 760 pF

FET Feature-

Power Dissipation (Max)13.2W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package3-PQFN (5x6)

Package / Case3-SMD, Flat Lead

供应商TP65H480G4JSG-TR
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