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TP65H070LSG-TR /GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
TP65H070LSG-TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTP65H070L

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)96W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device Package3-PQFN (8x8)

Package / Case3-PowerDFN

供应商TP65H070LSG-TR
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