包装管件

系列TP65H070L

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）85 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.8V @ 700µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）9.3nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）600pF @ 400V

FET 功能-

功率耗散（最大值）96W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装3-PQFN（8x8）

封装/外壳3-PowerDFN