包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）34A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）12V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）60 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.8V @ 700µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）24nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1000pF @ 400V

FET 功能-

功率耗散（最大值）119W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-3

封装/外壳TO-247-3