包装托盘

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）8V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）312毫欧 @ 5A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.6V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）9.6nC @ 8V

Vgs（最大值）±18V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）760pF @ 400V

FET 功能-

功率耗散（最大值）21W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装3-PQFN（8x8）

封装/外壳3-PowerDFN