TK62N60W5,S1VF(S
/MOSFET,N-channel,600V,61.8A,TO247
TK62N60W5,S1VF(S的规格信息
通道类型:N
最大连续漏极电流:61.8 A
最大漏源电压:600 V
最大漏源电阻值:45 m0hms
最大栅阈值电压:4.5V
最小栅阈值电压:3V
最大栅源电压:-30 V、+30 V
封装类型:TO-247
安装类型:通孔
引脚数目:3
通道模式:增强
类别:开关调节器
最大功率耗散:400 W
典型接通延迟时间:270 ns
典型关断延迟时间:250 ns
典型输入电容值@Vds:6500 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs:205 nC @ 10 V
晶体管材料:Si
系列:DTMOSIV
每片芯片元件数目:1
宽度:5.02mm
长度:15.94mm
高度:20.95mm
正向二极管电压:1.7V
尺寸:15.94 x 5.02 x 20.95mm
最高工作温度:+150 °C
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
TK62N60W5,S1VF(S
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深圳市芯幂科技有限公司 | TK62N60W5,S1VF(S | 深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405 | 13267088774 (微信同号) | Alien |    | 询价 |
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TK62N60W5,S1VF(S及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TK62N60W5,S1VF(S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) |  | 244.47 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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 立创商城 | TK62N60W5,S1VF(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥39.86 10+:¥34.66 30+:¥33.71 100+:¥32.75 500+:¥32.33 1000+:¥31.8
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