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TK62N60W5,S1VF(S /MOSFET,N-channel,600V,61.8A,TO247
TK62N60W5,S1VF(S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:61.8 A

最大漏源电压:600 V

最大漏源电阻值:45 m0hms

最大栅阈值电压:4.5V

最小栅阈值电压:3V

最大栅源电压:-30 V、+30 V

封装类型:TO-247

安装类型:通孔

引脚数目:3

通道模式:增强

类别:开关调节器

最大功率耗散:400 W

典型接通延迟时间:270 ns

典型关断延迟时间:250 ns

典型输入电容值@Vds:6500 pF @ 300 V

典型栅极电荷@Vgs:205 nC @ 10 V

晶体管材料:Si

系列:DTMOSIV

每片芯片元件数目:1

宽度:5.02mm

长度:15.94mm

高度:20.95mm

正向二极管电压:1.7V

尺寸:15.94 x 5.02 x 20.95mm

最高工作温度:+150 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商TK62N60W5,S1VF(S
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK62N60W5,S1VF(S北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市芯幂科技有限公司TK62N60W5,S1VF(S深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
TK62N60W5,S1VF(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO244.47 Kbytes共10页TK62N60W5,S1VF(S的PDF下载地址
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TK62N60W5,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道1+:¥39.86
10+:¥34.66
30+:¥33.71
100+:¥32.75
500+:¥32.33
1000+:¥31.8