数据列表：TK58E06N1 -

特色产品：Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：58A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 29A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：46nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3400pF @ 30V

功率 - 最大值：110W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

其它名称：TK58E06N1S1X