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TK62N60W5,S1VF /MOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
TK62N60W5,S1VF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:61.8 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:205 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:400 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

系列:TK62N60W5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Toshiba

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:190 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:250 ns

典型接通延迟时间:270 ns

单位重量:6 g

供应商TK62N60W5,S1VF
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TK62N60W5,S1VFMOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pFToshibaToshiba的LOGO245.13 Kbytes共10页TK62N60W5,S1VF的PDF下载地址
TK62N60W5,S1VF(S连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO244.47 Kbytes共10页TK62N60W5,S1VF(S的PDF下载地址
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TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF1:¥76.84
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TK62N60W5,S1VF(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):61.8A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 3.1mA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道1+:¥39.86
10+:¥34.66
30+:¥33.71
100+:¥32.75
500+:¥32.33
1000+:¥31.8