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TK5A50D(STA4,Q,M) /MOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A
TK5A50D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK5A50D

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:40 ns

单位重量:6 g

供应商TK5A50D(STA4,Q,M)
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