数据列表：TK60S06K3L -

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：60A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2900pF @ 10V

功率 - 最大值：88W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK+

其它名称：TK60S06K3L(T6L1NQTK60S06K3LT6L1NQ