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TC58NYG2S0HBAI4 /NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG2S0HBAI4的规格信息
TC58NYG2S0HBAI4的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:NAND闪存

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TFBGA-63

存储容量:4 Gbit

接口类型:Parallel

组织:512 M x 8

定时类型:Synchronous

数据总线宽度:8 bit

电源电压-最小:1.7 V

电源电压-最大:1.95 V

电源电流—最大值:30 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

封装:Tray

存储类型:NAND

产品:NAND Flash

速度:25 ns

结构:Block Erase

商标:Toshiba Memory

最大时钟频率:-

湿度敏感性:Yes

产品类型:NAND Flash

工厂包装数量:210

子类别:Memory & Data Storage

供应商TC58NYG2S0HBAI4
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