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TC58NYG1S3EBAI5 /NAND闪存 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3EBAI5的规格信息
TC58NYG1S3EBAI5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:NAND闪存

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TFBGA-63

存储容量:2 Gbit

接口类型:Parallel

组织:256 M x 8

定时类型:Synchronous

数据总线宽度:8 bit

电源电压-最小:1.7 V

电源电压-最大:1.95 V

电源电流—最大值:30 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

封装:Tray

存储类型:NAND

产品:NAND Flash

速度:25 ns

结构:Block Erase

商标:Toshiba Memory

最大时钟频率:-

湿度敏感性:Yes

产品类型:NAND Flash

工厂包装数量:180

子类别:Memory & Data Storage

供应商TC58NYG1S3EBAI5
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深圳市德州众泰科技有限公司TC58NYG1S3EBAI5深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市芯幂科技有限公司TC58NYG1S3EBAI5深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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TC58NYG1S3EBAI5MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 GBIT (256M × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO489.01 Kbytes共65页TC58NYG1S3EBAI5的PDF下载地址
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TC58NYG1S3EBAI5Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin TFBGA
RoHS : Compliant
100 : $3.504
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TC58NYG1S3EBAI5Toshiba America Electronic Components2GB NAND SLC 43NM BGA (EEPROM) - Trays99 : $3.8638
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TC58NYG1S3EBAI5Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin TFBGA
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TC58NYG1S3EBAI5Toshiba MemoryNAND闪存 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)价格未公开
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TC58NYG1S3EBAI5Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 63-Pin TFBGA$3.2907