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TC58NYG0S3EBAI4 / SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA
TC58NYG0S3EBAI4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:63TFBGA

电池类型:SLC NAND

密度:1 Gb

建筑:Sectored

块组织:Symmetrical

典型工作电源电压:1.8 V

扇区大小:128Kbyte x 1024

定时类型:Synchronous

工作温度:-40 to 85 °C

地址总线宽度:1 Bit

支持ECC:Yes

接口类型:Serial

页面大小:2112 byte

标准包装:Trays

安装:Surface Mount

包装宽度:9

引导块:No

PCB:63

地址总线宽度:1

典型工作电源电压:1.8

欧盟RoHS指令:Supplier Unconfirmed

字数:128M

最低工作温度:-40

供应商封装形式:TFBGA

标准包装名称:BGA

最高工作温度:85

编程电压:1.7 to 1.95

每字位数:8

包装长度:11

最低工作电源电压:1.7

引脚数:63

最大工作电流:30

包装高度:0.7(Max)

最大工作电源电压:1.95

密度:1G

铅形状:Ball

供应商TC58NYG0S3EBAI4
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TC58NYG0S3EBAI4NAND闪存 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)Toshiba MemoryToshiba Memory的LOGO476.19 Kbytes共65页TC58NYG0S3EBAI4的PDF下载地址
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TC58NYG0S3EBAI4Toshiba MemoryNAND闪存 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)价格未公开