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TC58NVG1S3HBAI6 /NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG1S3HBAI6的规格信息
TC58NVG1S3HBAI6的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:NAND闪存

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VFBGA-67

存储容量:2 Gbit

接口类型:Parallel

组织:256 M x 8

数据总线宽度:8 bit

电源电压-最小:2.7 V

电源电压-最大:3.6 V

电源电流—最大值:30 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

封装:Tray

存储类型:NAND

商标:Toshiba Memory

最大时钟频率:-

湿度敏感性:Yes

产品类型:NAND Flash

工厂包装数量:338

子类别:Memory & Data Storage

供应商TC58NVG1S3HBAI6
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万三科技(深圳)有限公司TC58NVG1S3HBAI6深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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TC58NVG1S3HBAI6Kioxia America, Inc.IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA$3.53000
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