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TC58NVG0S3HTAI0 / 闪存 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG0S3HTAI0的规格信息
TC58NVG0S3HTAI0的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:闪存

RoHS:

存储类型:NAND

存储容量:1 Gbit

速度:25 ns

接口类型:Parallel

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.7 V

电源电流—最大值:30 mA

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-48

封装:Tray

结构:Block Erase

商标:Toshiba

数据总线宽度:8 bit

清除时间:2.5 ms

最大时钟频率:-

组织:128 M x 8

定时类型:Synchronous

供应商TC58NVG0S3HTAI0
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北京芯时代电子科技发展有限公司TC58NVG0S3HTAI0北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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