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TC58FVB641FT-10 / NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 100ns 48-Pin TSOP
TC58FVB641FT-10的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装:48TSOP

电池类型:NOR

密度:64 Mb

建筑:Sectored

块组织:Asymmetrical

位置引导块:Bottom

典型工作电源电压:3|3.3 V

扇区大小:8Kbyte x 8|64Kbyte x 127

支持通用闪存接口:Yes

定时类型:Asynchronous

工作温度:-40 to 85 °C

地址总线宽度:23/22 Bit

银行大小:0.5/3.5/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4/4 Mb

接口类型:Parallel

银行数:17

地址总线宽度:23/22

密度:64M

典型工作电源电压:3|3.3

欧盟RoHS指令:Not Compliant

字数:8M/4M

最低工作温度:-40

供应商封装形式:TSOP

标准包装名称:TSOP

最高工作温度:85

每字位数:8/16

引导块:Yes

最低工作电源电压:2.7

引脚数:48

最大工作电流:30

最大随机存取时间:100

最大工作电源电压:3.6

铅形状:Gull-wing

供应商TC58FVB641FT-10
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TC58FVB641FT-1064-MBIT (8M × 8 BITS / 4M × 16 BITS) CMOS FLASH MEMORY TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO593.0 Kbytes共53页TC58FVB641FT-10的PDF下载地址TC58FVT400FT-10,TC58FVB160AF,TC58FVM7B2,M5M29F25611VP,TC58FVT321FT-10,TC58FVT321-70,TC58FVT800FT-85,AM29DS323D,AM29PL320D,EN29F800
TC58FVB641FT-10TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO603.52 Kbytes共53页TC58FVB641FT-10的PDF下载地址TC55VEM208ASTN55,TC55V8512FTI-12,TC55NEM216AFTN55,TC55NEM216ASTV55,TC55VBM316AFTN,TC55V8512FT-12,TC55NEM208A,TC55V4366FF-133,TC58FVT160AFT-70,TH58NVG1S3AFT
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