单位包：1000

最小起订量：1000

FET特点：Standard

封装：Tube

安装类型：Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：29A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：600V

标准包装：1,000

供应商设备封装：TO-220AB

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：125 mOhm @ 15A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：250W

封装/外壳：TO-220-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：2600pF @ 100V

闸电荷（Qg ） @ VGS：130nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：Through Hole

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

连续漏极电流：29 A

系列：E

RDS（ON）：125 mOhms

功率耗散：250 W

最低工作温度：- 55 C

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：600 V

RoHS：RoHS Compliant

栅源电压（最大值）：�20 V

安装：Through Hole

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：TO-220AB

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

通道模式：Enhancement

漏源导通电压：600 V

弧度硬化：No

Continuous Drain Current Id：:29A

Drain Source Voltage Vds：:600V

On Resistance Rds(on)：:0.104ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:2V

No. of Pins：:3

Weight (kg)：0

Tariff No.：85412900

功耗：:250W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:TO-220AB

MSL：:MSL 1 - Unlimited