SIHP23N60E-GE3的供应商，SIHP23N60E-GE3规格参数，SIHP23N60E-GE3的PDF资料

SIHP23N60E-GE3 /MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP23N60E-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:158 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:63 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:227 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:E

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:34 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:38 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:66 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:6 g

SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
集好芯城	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SIHP23N60E-GE3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

SIHP23N60E-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIHP23N60E-GE3	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB	Vishay / Siliconix	291.93 Kbytes	共8页	无
SIHP23N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB	Vishay Siliconix	166.18 Kbytes	共8页	无
SIHP23N60E-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：158mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	290.80 Kbytes	共8页	无

SIHP23N60E-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIHP23N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品	1000+:￥11.831+:￥18.8801 10+:￥15.16 100+:￥13.83 250+:￥12.51 500+:￥12.51 1000+:￥11.94 2000+:￥11.48 5000+:￥11.14 10000+:￥10.9550+:￥10.751+:￥12.2001
Digi-Key 得捷电子	SIHP23N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB	$3.39000
Digi-Key 得捷电子	SIHP23N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品	1000+:￥11.83
Future(富昌)	SIHP23N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品	1000+:￥11.831+:￥18.8801 10+:￥15.16 100+:￥13.83 250+:￥12.51 500+:￥12.51 1000+:￥11.94 2000+:￥11.48 5000+:￥11.14 10000+:￥10.9550+:￥10.75
Mouser 贸泽电子	SIHP23N60E-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB	1:¥29.2783 10:¥26.2047 100:¥21.5943 250:¥19.7524 500:¥17.6732
Mouser 贸泽电子	SIHP23N60E-GE3	Vishay	FET - 单 - 分立半导体产品	1000+:￥11.831+:￥18.8801 10+:￥15.16 100+:￥13.83 250+:￥12.51 500+:￥12.51 1000+:￥11.94 2000+:￥11.48 5000+:￥11.14 10000+:￥10.95
立创商城	SIHP23N60E-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：158mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥21.16 10+:￥18.44 30+:￥17.94 100+:￥17.44 500+:￥17.22 1000+:￥16.94

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