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SIHP25N40D-GE3 /MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
SIHP25N40D-GE3的规格信息
SIHP25N40D-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:400 V

Id-连续漏极电流:25 A

Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:278 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

系列:D

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:37 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:57 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:21 ns

单位重量:6 g

供应商SIHP25N40D-GE3
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集好芯城SIHP25N40D-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIHP25N40D-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIHP25N40D-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIHP25N40D-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
万三科技（深圳）有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
上海山峻电子有限公司SIHP25N40D-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
17621743344		樊勉Email:420014373@qq.com询价
深圳市芯福林电子科技有限公司SIHP25N40D-GE3深圳市福田区华强北路1002号赛格广场66楼6608B13602549709
13602549709		李生Email:2573292269@qq.com询价
SIHP25N40D-GE3及相关型号的PDF资料
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SIHP25N40D-GE3MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220ABVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO284.60 Kbytes共8页SIHP25N40D-GE3的PDF下载地址无
SIHP25N40D-GE3MOSFET N-CH 400V 25A TO220ABVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO162.45 Kbytes共8页SIHP25N40D-GE3的PDF下载地址无
SIHP25N40D-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO283.27 Kbytes共8页SIHP25N40D-GE3的PDF下载地址无
SIHP25N40D-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIHP25N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS1+:￥22.4
25+:￥18.01
100+:￥16.4
250+:￥14.8
500+:￥13.28
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIHP25N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS1+:￥22.4
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHP25N40D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 25A TO220AB$3.21000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIHP25N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS1+:￥22.4
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHP25N40D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB1:¥23.7413
10:¥19.6733
100:¥16.2155
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIHP25N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS1+:￥22.4
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元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		SIHP25N40D-GE3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS1+:￥22.4
25+:￥18.01
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立创商城		SIHP25N40D-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道1+:￥27.88
10+:￥23.94
30+:￥23.22
100+:￥22.49
500+:￥22.17
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SIHP25N40D-GE3的相关型号
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