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SIHP22N60S-E3 /MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220
SIHP22N60S-E3的规格信息
SIHP22N60S-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:600 V

闸/源击穿电压:20 V

漏极连续电流:22 A

导通电阻:160 mOhms

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220

封装:Tube

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:59 ns

正向跨导 - 最小值:9.4 S

栅极电荷 Qg:75 nC

功率耗散:250 W

上升时间:68 ns

系列:SIHxxxN60x

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:77 ns

ROHS: 含铅

供应商SIHP22N60S-E3
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深圳市坤融电子有限公司SIHP22N60S-E3航都大厦10I0755-23990975
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SIHP22N60S-E3MOSFET N-CH 600V 22A TO220Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO148.51 Kbytes共7页SIHP22N60S-E3的PDF下载地址
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SIHP22N60S-E3VishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-2201+:¥21.04
10+:¥16.8999
100+:¥15.41
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