SVF4N60RD-TR
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道
SVF4N60RD-TR的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）77W(Tc)
类型N沟道
SVF4N60RD-TR
SVF4N60RD-TR及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| SVF4N60RD-TR | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 325.82 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
SVF4N60RD-TR的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
立创商城 | SVF4N60RD-TR | SILAN(士兰微) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.286
10+:￥0.9711
30+:￥0.9133
100+:￥0.8555
500+:￥0.8298
1000+:￥0.8171
|