SVF4N60CAMJ
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W 类型:N沟道
SVF4N60CAMJ的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)86W
类型N沟道
SVF4N60CAMJ
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SVF4N60CAMJ | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W 类型:N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 900.44 Kbytes | 共11页 |  | 无 |
SVF4N60CAMJ的全球分销商及价格
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 立创商城 | SVF4N60CAMJ | SILAN(士兰微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):86W 类型:N沟道 | 1+:¥1.1168 10+:¥0.8169 30+:¥0.7618 100+:¥0.7067 500+:¥0.6822 1000+:¥0.6702
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