SVF2N60CNF
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):16W(Tc) 类型:N沟道
SVF2N60CNF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.2Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)16W(Tc)
类型N沟道
SVF2N60CNF
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SVF2N60CNF | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):16W(Tc) 类型:N沟道 | SILAN(士兰微) |  | 434.30 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
SVF2N60CNF的全球分销商及价格
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 立创商城 | SVF2N60CNF | SILAN(士兰微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):16W(Tc) 类型:N沟道 | 5+:¥0.777892 50+:¥0.590428 150+:¥0.555996 500+:¥0.521564 2500+:¥0.506261 5000+:¥0.4987
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