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SVF3878PN /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.28Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
SVF3878PN的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)900V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻1.28Ω @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)150W(Tc)

类型N沟道

供应商SVF3878PN
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SVF3878PN连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.28Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道SILAN(士兰微)SILAN(士兰微)的LOGO300.48 Kbytes共7页SVF3878PN的PDF下载地址
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SVF3878PNSILAN(士兰微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):900V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.28Ω @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.25
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