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SVF4N60F /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道
SVF4N60F的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻2.4Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)33W

类型N沟道

供应商SVF4N60F
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SVF4N60F连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道SILAN(士兰微)SILAN(士兰微)的LOGO579.47 Kbytes共10页SVF4N60F的PDF下载地址
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