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STY80NM60N /N-Channel 600 V 35 mOhm Through Hole MDmesh™ II Power Mosfet - MAX-247
STY80NM60N的规格信息
STY80NM60N的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：MDmesh™ II

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：74A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：360nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：10100pF @ 50V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：447W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：35 毫欧 @ 37A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

封装形式Package：Max247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：600V

连续漏极电流ID：74A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商STY80NM60N
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深圳市辉华拓展电子有限公司STY80NM60N深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STY80NM60N深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司STY80NM60N华强北都会轩26010755-23903154
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深圳市斌腾达科技有限公司STY80NM60N深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市芯泽盛世科技有限公司STY80NM60N龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市赛美科科技有限公司STY80NM60N广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市宇浩扬科技有限公司STY80NM60N深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		STY80NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1+:￥236.75
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		STY80NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 74A MAX247Obsolete
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element14 e络盟电子		STY80NM60NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品1+:￥236.75
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