系列：MDmesh™ II

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：110A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：326nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9600pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：625W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：22 毫欧 @ 52A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

封装形式Package：Max247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：500V

连续漏极电流ID：110A

无铅情况/RoHs：否