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STY112N65M5 /MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
STY112N65M5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:96 A

Rds On-漏源导通电阻:19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:350 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:625 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STY112N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

单位重量:38 g

供应商STY112N65M5
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