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STY60NK30Z /MOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
STY60NK30Z的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:450 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:20.3 mm

长度:15.9 mm

系列:STY60NK30Z

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.3 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:90 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:150 ns

典型接通延迟时间:50 ns

单位重量:38 g

供应商STY60NK30Z
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深圳市辉华拓展电子有限公司STY60NK30Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STY60NK30Z连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):450W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO190.16 Kbytes共8页STY60NK30Z的PDF下载地址
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:¥85.9
10+:¥77.33
100+:¥63.58
250+:¥58.4260+:¥46.92
210+:¥43.755+:¥85.39
10+:¥74.8
25+:¥66.69
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Digi-Key 得捷电子
STY60NK30ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:¥85.9
10+:¥77.33
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Future(富昌)
STY60NK30ZSTMicroelectronicsFET - 单 SuperMESH?? 分立半导体产品1+:¥85.9
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STY60NK30ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH31:¥86.3659
10:¥78.0717
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100:¥64.7038
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25+:¥66.69
50+:¥61.451+:¥63.93
31+:¥38.36
151+:¥27.41+:¥22.65
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STY60NK30ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):300V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:45mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):450W(Tc) 类型:N沟道1+:¥31.2
10+:¥27.87
30+:¥27.34
100+:¥26.55