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STY130NF20D /STMicroelectronics/分立半导体产品
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其它有关文件:STY130NF20D View All Specifications

标准包装:30

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:STripFET?? II

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):130A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 65A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):338nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11100pF @ 25V

功率 - 最大值:450W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:MAX247?

其它名称:497-11004-5STY130NF20D-ND

供应商STY130NF20D
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STY130NF20DN-channel 200 V, 0.01 typ., 130 A STripFET II with fast recovery diode Power MOSFET in a Max247 package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO672.58 Kbytes共14页STY130NF20D的PDF下载地址
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