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STW56N65M2-4 /MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
STW56N65M2-4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-4

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:49 A

Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:93 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:358 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW56N65M2-4

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27.5 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:146 ns

典型接通延迟时间:19 ns

供应商STW56N65M2-4
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