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STW36NM60ND /MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A
STW36NM60ND的规格信息
STW36NM60ND的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:29 A

Rds On-漏源导通电阻:110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:80.4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

封装:Tube

系列:STW36NM60ND

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:61.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:53.4 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:111 ns

典型接通延迟时间:30 ns

单位重量:38 g

供应商STW36NM60ND
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW36NM60ND深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1363.47 Kbytes共18页STW36NM60ND的PDF下载地址
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STW36NM60NDSTMicroelectronicsPOWER MOSFET - Rail/Tube600 : $4.9931
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2,999 : $4.7541
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STW36NM60NDSTMicroelectronicsFET - 单 FDmesh?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A1+:¥62.63
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STW36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO-24710 : $7.407
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Mouser 贸泽电子
STW36NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A1:¥62.9297
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Mouser 贸泽电子
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