制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1.7 kV

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:13 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:PowerMESH

封装:Tube

系列:STW3N170

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:53 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:51 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:7 g