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产品培训模块：5th Generation High Voltage Mosfet Technology

标准包装：30

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? V

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：27A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：98 毫欧 @ 13.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：83nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3750pF @ 100V

功率 - 最大值：160W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247-3

其它名称：497-11000-5STW35N65M5-ND