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STW32NM50N /MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
STW32NM50N的规格信息
STW32NM50N的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:13.86 A

Rds On-漏源导通电阻:130 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:62.5 nC

Pd-功率耗散:190 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW32NM50N

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:23.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:110 ns

典型接通延迟时间:21.5 ns

单位重量:38 g

供应商STW32NM50N
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STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO1174.24 Kbytes共21页STW32NM50N的PDF下载地址
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STW32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET1+:¥43.7901
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STW32NM50NSTMicroelectronicsPOWER MOSFET - Rail/Tube5,999 : $2.967
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STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-247$6.27000
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STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-24710 : $5.117
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Digi-Key 得捷电子
STW32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET1+:¥43.7901
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Future Electronics
STW32NM50NSTMicroelectronics500Volt, 22Amp, 130Mohm RdsOn @ 10V, TO-247
RoHS : Compliant
210 : $3.4444
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET1:¥43.7197
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Mouser 贸泽电子
STW32NM50NSTMicroelectronicsFET - 单 MDmesh? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET1+:¥43.7901
10+:¥35.2
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Rutronik
STW32NM50NSTMicroelectronicsN-CH 500V 22A 130mOHM TO247-31,200 : $2.69
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立创商城
STW32NM50NST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):22A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):190W(Tc) 类型:N沟道1+:¥38.38
10+:¥37.26