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STW11NK100Z /MOSFET N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
STW11NK100Z的规格信息
STW11NK100Z的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1 kV

Id-连续漏极电流:8.3 A

Rds On-漏源导通电阻:1.38 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:113 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:230 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperMESH

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW11NK100Z

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

类型:MOSFET

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:9 S

下降时间:55 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:98 ns

典型接通延迟时间:27 ns

单位重量:38 g

供应商STW11NK100Z
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW11NK100Z深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW11NK100Z深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司STW11NK100Z航都大厦10I0755-23990975
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STW11NK100ZST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.3A 漏源电压(Vdss):1000V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:1.38Ω @ 4.15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):230W 类型:N沟道1+:¥7.11
10+:¥6.91