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STW11NM80 /MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STW11NM80的规格信息
STW11NM80的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW11NM80

晶体管类型:1 N-Channel

类型:MOSFET

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:8 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:38 g

供应商STW11NM80
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深圳市德州众泰科技有限公司STW11NM80深圳市福田区航都大厦25F0755-82780836
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