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STW120NF10 /MOSFET POWER MOSFET
STW120NF10的规格信息
STW120NF10的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:110 A

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:312 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

高度:20.15 mm

长度:15.75 mm

系列:STW120NF10

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:68 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:90 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:132 ns

典型接通延迟时间:25 ns

单位重量:38 g

供应商STW120NF10
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深圳市宇浩扬科技有限公司STW120NF10深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW120NF10深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STW120NF10深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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木易Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城STW120NF10深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城STW120NF10深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW120NF10深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市仓实科技有限公司STW120NF10深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW120NF10深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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深圳市高捷半导体有限公司STW120NF10深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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Arrow(艾睿)
STW120NF10STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? II 分立半导体产品 半导体 MOSFET POWER MOSFET1+:¥28.29
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STW120NF10STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET1:¥31.0411
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立创商城
STW120NF10ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):312W(Tc) 类型:N沟道1+:¥29.14
10+:¥28.29