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STW13N60M2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STW13N60M2的规格信息
STW13N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:17 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STW13N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:38 g

供应商STW13N60M2
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盛信伟业(深圳)科技有限公司STW13N60M2深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场3310A19926488141
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赵伟滨Email:SalesDirector@weiyeic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STW13N60M2深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司STW13N60M2深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市辉华拓展电子有限公司STW13N60M2深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市天卓伟业电子有限公司STW13N60M2深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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STW13N60M2STMicroelectronics1+:¥22.18
10+:¥17.82
100+:¥15.85
250+:¥14.62
500+:¥13.17
1000+:¥11.0499
2500+:¥10.55
5000+:¥10.111+:¥17.72
10+:¥14.25
100+:¥12.67
250+:¥11.76
500+:¥11.76
1000+:¥11.23
2500+:¥10.8
5000+:¥10.47
10000+:¥10.361+:¥22.45
10+:¥20.44
50+:¥19.72
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
STW13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥16.3624
250:¥15.5262
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Verical
STW13N60M2STMicroelectronics1+:¥22.18
10+:¥17.82
100+:¥15.85
250+:¥14.62
500+:¥13.17
1000+:¥11.0499
2500+:¥10.55
5000+:¥10.111+:¥17.72
10+:¥14.25
100+:¥12.67
250+:¥11.76
500+:¥11.76
1000+:¥11.23
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STW13N60M2ST(意法半导体)MOS(场效应管)1+:¥7.82
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100+:¥4.96
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1000+:¥4.71