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STU10N60M2 /MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
STU10N60M2的规格信息
STU10N60M2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

Rds On-漏源导通电阻:560 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:13.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:85 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STU10N60M2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:13.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32.5 ns

典型接通延迟时间:8.8 ns

单位重量:4 g

供应商STU10N60M2
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10+:¥9.5201
100+:¥7.56
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