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STS8DNH3LL /STMicroelectronics/分立半导体产品
STS8DNH3LL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:STripFET?? III

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):857pF @ 25V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

配用:497-8213-ND - BOARD EVAL ST7FMC2S4T6/STS8DNH3L

其它名称:497-4399-2

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