FET 类型2 个 P 沟道（双）

FET 功能逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）56 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）639pF @ 25V

功率 - 最大值2.7W

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装8-SO

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs