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STS8C5H30L /MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
STS8C5H30L的规格信息
STS8C5H30L的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:5.4 A, 8 A

Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:7 nC, 12.5 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W, 2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.65 mm

长度:5 mm

系列:STS8C5H30L

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

类型:MOSFET

宽度:4 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:8.5 S, 10 S

下降时间:8 ns, 35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14.5 ns, 35 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns, 125 ns

典型接通延迟时间:12 ns, 25 ns

单位重量:85 mg

供应商STS8C5H30L
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深圳市威雅利发展有限公司STS8C5H30L华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城STS8C5H30L深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城STS8C5H30L深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STS8C5H30L深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司STS8C5H30L航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司STS8C5H30L龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司STS8C5H30L世纪汇都会轩45070755-82788062
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
深圳市高捷芯城科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司STS8C5H30L深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
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深圳诚思涵科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671
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深圳市兴中芯科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037
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芯莱德电子(香港)有限公司STS8C5H30L深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司STS8C5H30L广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
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深圳市辰芯伟业科技有限公司STS8C5H30L华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128
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深圳市博浩通科技有限公司STS8C5H30L华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司STS8C5H30L深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市高捷半导体有限公司STS8C5H30L深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549
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深圳市宇浩扬科技有限公司STS8C5H30L深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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STS8C5H30LMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 AmpSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO830.51 Kbytes共18页STS8C5H30L的PDF下载地址
STS8C5H30L连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A,5.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO849.10 Kbytes共18页STS8C5H30L的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
10+:¥7.19
100+:¥5.72
500+:¥5.22
1000+:¥4.94
2500+:¥4.54
10000+:¥4.42
25000+:¥4.3301
50000+:¥4.361+:¥11.43
10+:¥8.85
100+:¥7.052500+:¥2.72500+:¥1.9350+:¥6.04
200+:¥5.26
500+:¥4.72
1000+:¥4.341+:¥5.74
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ChipOneStop
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
10+:¥7.19
100+:¥5.72
500+:¥5.22
1000+:¥4.94
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10000+:¥4.42
25000+:¥4.3301
50000+:¥4.361+:¥11.43
10+:¥8.85
100+:¥7.052500+:¥2.7
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Digi-Key 得捷电子
STS8C5H30LSTMicroelectronicsMOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC$1.70000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.27
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element14 e络盟电子
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
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1000+:¥4.94
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50000+:¥4.361+:¥11.43
10+:¥8.85
100+:¥7.05
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Future(富昌)
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
10+:¥7.19
100+:¥5.72
500+:¥5.22
1000+:¥4.94
2500+:¥4.54
10000+:¥4.42
25000+:¥4.3301
50000+:¥4.361+:¥11.43
10+:¥8.85
100+:¥7.052500+:¥2.72500+:¥1.93
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Mouser 贸泽电子
STS8C5H30LSTMicroelectronicsMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.7913
2,500:¥5.2432
5,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
10+:¥7.19
100+:¥5.72
500+:¥5.22
1000+:¥4.94
2500+:¥4.54
10000+:¥4.42
25000+:¥4.3301
50000+:¥4.36
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
STS8C5H30LSTMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? III 分立半导体产品 半导体 MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp2500+:¥4.43
10000+:¥4.271+:¥9.28
10+:¥7.19
100+:¥5.72
500+:¥5.22
1000+:¥4.94
2500+:¥4.54
10000+:¥4.42
25000+:¥4.3301
50000+:¥4.361+:¥11.43
10+:¥8.85
100+:¥7.052500+:¥2.72500+:¥1.9350+:¥6.04
200+:¥5.26
500+:¥4.72
1000+:¥4.34
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立创商城
STS8C5H30LST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A,5.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:22mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥1.11
10+:¥1.08