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STS8DN6LF6AG /MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
STS8DN6LF6AG的规格信息
STS8DN6LF6AG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms, 21 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:27 nC, 27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:STripFET

系列:STS8DN6LF6AG

晶体管类型:2 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:7 ns, 7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns, 20 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:56 ns, 56 ns

典型接通延迟时间:9.6 ns, 9.6 ns

供应商STS8DN6LF6AG
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深圳市坤融电子有限公司STS8DN6LF6AG航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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18922805453,18929374037,18922803401
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STS8DN6LF6AG连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:双N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO706.15 Kbytes共13页STS8DN6LF6AG的PDF下载地址
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STS8DN6LF6AGST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.2W 类型:双N沟道1+:¥9.87
10+:¥7.37
30+:¥6.92
100+:¥6.46
500+:¥6.25
1000+:¥6.15