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STS8DN3LLH5 /MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
STS8DN3LLH5的规格信息
STS8DN3LLH5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:15.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:22 V

Qg-栅极电荷:5.4 nC

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Dual

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:STS8DN3LLH5

晶体管类型:2 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:3.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:4.2 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21.1 ns

典型接通延迟时间:4 ns

单位重量:540 mg

供应商STS8DN3LLH5
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STS8DN3LLH5STMicroelectronicsFET - 阵列 STripFET?? V 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr2500+:¥4.28
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