制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:否

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

高度:9.15 mm

长度:10.4 mm

系列:STP11NM65N

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.6 mm

商标:STMicroelectronics

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:11 ns

单位重量:330 mg