其它有关文件：STP10NM65N View All Specifications

标准包装：50

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：MDmesh? II

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：480 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：850pF @ 50V

功率 - 最大值：90W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

配用：497-6416-ND - BOARD EVAL L5991/STP10NK60Z

其它名称：497-7499-5STP10NM65N-ND