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STP11N60DM2 /MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
STP11N60DM2的规格信息
STP11N60DM2的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:370 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:16.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

系列:STP11N60DM2

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:9.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.3 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:31 ns

典型接通延迟时间:11.7 ns

单位重量:2 g

供应商STP11N60DM2
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STP11N60DM2N-channel 600 V, 0.370 (ohm) typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO716.35 Kbytes共12页STP11N60DM2的PDF下载地址
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