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STP110N8F7 /MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STP110N8F7的规格信息
STP110N8F7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:46.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:170 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

系列:STP110N8F7

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:32 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:95 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:49 ns

单位重量:2.240 g

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STP110N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 80A TO220$1.69000
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STP110N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
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STP110N8F7ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):170W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.13
10+:¥4.53
30+:¥4.24
100+:¥3.94
500+:¥3.81
1000+:¥3.75